纳微半导体将采用力积电0.18微米制程生产GaN产品

金十数据7月2日讯,纳微半导体今日宣布,与力积电建立战略合作伙伴关系,将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓(GaN)产品。

此页面可能包含第三方内容,仅供参考(非陈述/保证),不应被视为 Gate 认可其观点表述,也不得被视为财务或专业建议。详见声明
  • 赞赏
  • 评论
  • 分享
评论
0/400
暂无评论
交易,随时随地
qrCode
扫码下载 Gate APP
社群列表
简体中文
  • 简体中文
  • English
  • Tiếng Việt
  • 繁體中文
  • Español
  • Русский
  • Français (Afrique)
  • Português (Portugal)
  • Bahasa Indonesia
  • 日本語
  • بالعربية
  • Українська
  • Português (Brasil)